Пресс-центр

Компания EV Group (EVG) представила новую высоковакуумную систему сварки пластин EVG®580 ComBond®

EV Group (EVG) — ведущий поставщик оборудования для литографии и сварки пластин в области МЭМС, нанотехнологий и полупроводниковых устройств — представил новую высоковакуумную систему сварки пластин EVG^®580 ComBond^®, позволяющую получать проводящие бескислородные ковалентные соединения в условиях комнатной температуры. Встроенная модульная платформа подходит для массовых производств. Система позволяет выполнять сварку пластин из различных материалов, необходимых при производстве высокопроизводительных и перспективных устройств, в таких областях как:

• Многопереходные солнечные батареи
• Кремниевая фотоника
• Высоковакуумные МЭМС
• Силовая электроника
• Составные полупроводниковые и структурированные подложки при производстве СВЧ-устройств, транзисторов с высокой подвижностью электронов и высокопроизводительной экономичной логики

Несколько систем EVG580 ComBond уже поставлены производителям микроэлектронных компонентов и в исследовательские центры.

«С момента запуска системы EVG580 ComBond на нашем производстве были продемонстрированы превосходные возможности создания ковалентных сварных соединений при комнатной температуре. Наша компания с нетерпением ждет дальнейшей работы с EVG в рамках оборудования нашей лаборатории для исследований в некоторых ключевых областях», ­— заявил Фабрис Гайгер, вице-президент отдела кремниевых технологий компании CEA-Leti.

«EVG580 ComBond обеспечивает очистку поверхности пластин, гарантирующую сварные соединения без загрязнений и окислов при комнатной температуре», — заявил Пол Линднер, исполнительный технический директор EV Group — «С этой технологией мы можем сваривать практически любые материалы, создавая разнообразные комбинации в формате пластин. Это позволяет нашим клиентам удовлетворить их потребности в разработке и массовом производстве новых устройств в перспективных и быстроразвивающихся направлениях: от разработки устройств кремниевой фотоники для телекоммуникаций следующего поколения до более силовой электроники, позволяющей увеличить интервал между подзарядками электромобилей».

Совмещение материалов с различными свойствами при производстве электроники (например, комбинирование таких полупроводников, как нитрид галлия (GaN), арсенид галлия (GaAs) и фосфид индия (InP) с кремниевым подложками) может позволить увеличить производительность устройств ввиду увеличения подвижности носителей заряда, а также открыть новые возможности, такие как эмиссия света через кремний, необходимые для реализации оптических соединений и оптической коммутации. Однако совмещение таких материалов путем традиционной эпитаксии приводит к появлению множества дислокаций вследствие разницы периодов кристаллической решетки и различных коэффициентов теплового расширения (КТР).

Этих проблем можно избежать путем выращивания каждого полупроводникового материала отдельно на оптимизированных под выращивание подложках и дальнейшей сваркой получившихся пластин. Ковалентная сварка при комнатной температуре является идеальным выбором, т.к. пластины не подвергаются отжигу, который может привести к возникновению дополнительных напряжений ввиду разных КТР. Однако проблемами ковалентной сварки при комнатной температуре являются невозможность точного контроля толщины и однородности переходного слоя, а также обеспечение эффективной очистки от загрязнений и оксидных слоев, что необходимо для достижения качественного соединения. Система EVG580 ComBond успешно решает эти проблемы.

Особенности системы EVG580 ComBond

• Специальный модуль активации ComBond (CAM), встроенный в платформу, обеспечивает надлежащую подготовку поверхности путем направления высокоэнергичных частиц к поверхности подложки вместо мокрых химических процессов, что позволяет избежать загрязнений и окисления
• Процесс происходит в среде высокого вакуума, таким образом, не происходит повторное окисление пластин после очистки
• Возможно оснащение системы модулями в количестве до 5 штук, работающими параллельно
• Система поддерживает работу с пластинами диаметром до 200 мм