17 января 2013

Самая большая гибкая память

Консорциум MOMA (eMbedded Organic Memory Arrays – Встроенная органическая память), финансируемый ЕС, объявил о создании энергонезависимой перепрограммируемой гибкой памяти достаточно большого объема. Разработаны 256-битная память на транзисторах и 1-кбитная память на диодах, которые показали достаточный технический уровень и высокий процент выхода годных. В связи с получением положительных результатов по проекту и первых удачных реализаций такой памяти появляется реальная возможность создания массово производимой гибкой электроники с встроенной памятью.

В последние годы гибкая электроника стремительно развивается, разрабатываются изделия, пригодные к коммерциализации и выпуску на широкий рынок. Все эти изделия требуют энергонезависимой программируемой памяти (аналога флэш-памяти) и чем сложнее изделие, тем больший объем памяти требуется. Однако развитие гибкой памяти шло медленнее других составляющих электроники, сдерживая развитие конечных изделий. Именно для решения данной проблемы ЕС начал проект МОМА – создание дешевых энергонезависимых перепрограммируемых ячеек памяти на гибком полимерном основании для дальнейшего объединения их с тонкопленочными транзисторами на гибких основаниях.

Консорциум МОМА объединяет коммерческие и исследовательские организации. В число этих компаний входят:

  • производитель кристаллов STMicroelectronics;
  • производитель материалов Solvay Specialty Polymers;
  • инновационные центры imec и Хольст Центр (Holst Centre) во взаимодействии с Католическим Университетом Лоувайна (Catholic University of Louvain) и Университетом Гронингена (University of Groningen).

Разработка использует сегнетоэлектрическую память на диспергируемых сегнетоэлектрических полимерах и органических окисных полупроводниках. Применение этих материалов позволило разработать растворы для создания памяти, которые могут быть нанесены различными способами (центрифугированием, струйной печатью и др.). Компании-участники проекта использовали разработанные материалы для формирования нового типа памяти с целью оптимизации процессов производства памяти на транзисторах или диодах и получения высокого уровня выхода годных.

Источник: МОМА http://www.moma-project.eu/